SolVision導入事例
半導体ウェハのAI検査ソリューション
化学機械研磨(CMP)プロセスの品質管理
CMPとウェハ表面
化学機械平坦化(CMP)は半導体製造において欠かせないプロセスであり、前の生産工程で生じた小さな欠陥を修正する目的があります。各ウェハ層は次の層が作成される前に研磨され、CMPによって表面のすべての余分な材料が取り除かれる必要があります。しかし、スラリーからの大きすぎる粒子や擦り傷は、CMPプロセスによって引き起こされる最も一般的な欠陥である小さな傷を引き起こす可能性があります。
複雑な背景と微妙なウェハ欠陥
CMPによって引き起こされる欠陥には、細かい傷、粒子の残留物、研磨パッドの破片が含まれることが多いです。研磨後、ウェハは非常に浅い研磨痕を生成し、検査画像に複雑な背景を形成します。さまざまな欠陥の種類と位置が固定されていないため、簡単には認識できません。その他の一般的な表面欠陥、例えば白い染み、黒い染み、水染み、泡などは多様であり、識別可能な標準化された特徴がありません。従来のシステムの論理ベースのルールやアルゴリズムでは、ウェハ全体を効果的に検査することができません。
AI検査
傷のある表面