
使用 AI 的 CMP 质量检测
案例介绍
确保 CMP 工艺中的表面质量
化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)是半导体制造中的关键工艺步骤,用于实现晶圆表面平坦化并去除各工艺层之间的多余材料。每片晶圆均需经过 CMP 处理,以达到后续光刻和沉积工艺所要求的表面均匀性。
然而,CMP 工艺可能引入划痕、颗粒污染及抛光液损伤等表面缺陷。这些缺陷会影响器件性能和良率,因此,可靠的质量检测对于确保晶圆完整性至关重要。
挑战
在复杂晶圆表面检测细微缺陷
CMP 产生的细微划痕、颗粒残留及抛光垫碎屑等缺陷具有低对比度且空间分布不均,难以从晶圆表面中有效分离。同时,CMP 工艺还会产生浅层抛光痕迹,导致检测图像背景纹理复杂且不均匀。
基于规则的 AOI 系统在处理缺陷形态及晶圆表面外观变化方面存在局限,尤其在低信噪比条件下表现更为明显。因此,传统检测方法难以满足高精度半导体制造环境下对稳健 CMP 质量检测的要求。
晶圆表面缺陷检测


CMP 产生的晶圆表面缺陷

AI 晶圆表面缺陷检测