使用 AI 進行 CMP 品質檢測
案例說明
確保 CMP 製程中的表面品質
化學機械平坦化（Chemical Mechanical Planarization，CMP）是半導體製造中的關鍵製程，用於平坦化晶圓表面並去除製程層間多餘材料。每片晶圓皆須經過 CMP，以達到後續微影與沉積製程所需的表面均勻性。
然而，CMP 製程可能導致表面瑕疵，例如刮傷、粒子污染及研磨液造成的損傷。這些瑕疵可能影響元件效能與良率，因此可靠的品質檢測對於維持晶圓完整性至關重要。
挑戰
在複雜晶圓表面偵測細微瑕疵
CMP 所產生的瑕疵，如細微刮傷、粒子殘留及拋光墊碎屑，通常對比度低且空間分布不均，使其難以自晶圓表面中有效辨識。CMP 製程亦會留下淺層研磨痕跡，於檢測影像中形成複雜且不均勻的背景紋理。
規則式 AOI 系統在處理瑕疵形態與晶圓表面外觀變異方面能力有限，尤其在低訊雜比條件下更為明顯。因此，傳統檢測方法難以滿足高精度半導體製造環境對 CMP 品質檢測的需求。
晶圓表面瑕疵檢測
CMP 製程造成的晶圓表面瑕疵
AI 晶圓表面瑕疵檢測